SiC 功率模塊的開關(guān)特性

通過以下的電感負(fù)荷雙脈沖測(cè)試對(duì)SiC 功率模塊的開關(guān)特性進(jìn)行評(píng)估。模塊內(nèi)部的寄生電感約為25nH，電路的寄生電感約為15nH。 4.3.1 漏極電流依賴性以及溫度依賴性
受益于SBD（或者MOSFET 的體二極管）的快速恢復(fù)特性，SiC 功率模塊的恢復(fù)損耗Err 基本為零。而且MOSFET 中不存在尾電流，所以與IGBT 相比，Eoff 也非常的小。Eon 和Eoff 基本上隨電流呈比例增加的趨勢(shì)（上升率取決于外部Rg）。Si‐FRD 的恢復(fù)電流和IGBT 的尾電流在高溫下會(huì)增大，相對(duì)之下，由多數(shù)載流子器件構(gòu)成的SiC 模塊隨溫度變化產(chǎn)生的損耗變化非常小。由于在高溫下閾值會(huì)降低，所以Eon 變小，而Eoff 有稍微變大的趨勢(shì)。文章來源：http://m.wllre.cn/js/168.html 4.3.2 門極電阻依賴性
在外部門極電阻大的情況下，流向門極的充放電電流值變小，開關(guān)速度變慢。與此同時(shí)，Eon、Eoff 增大，從而有可能發(fā)揮不出它原本的性能，所以請(qǐng)盡量選擇阻值低一些的門極電阻。 dV/dt、 dI/dt 針對(duì)外部門極電阻的依賴性如下圖所示。如果降低外部門極電阻的阻值，則dV/dt、dI/dt 的值會(huì)增大。ROHM 的SiC 功率模塊在各種各樣的條件下都進(jìn)行過實(shí)驗(yàn)，但是在目前的調(diào)查中
還沒有發(fā)現(xiàn)過dV/dt 破壞、dI/dt 破壞的破壞模式。轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處：http://m.wllre.cn dV/dt、 dI/dt 針對(duì)外部門極電阻的依賴性如下圖所示。如果降低外部門極電阻的阻值，則dV/dt、dI/dt 的值會(huì)增大。ROHM 的SiC 功率模塊在各種各樣的條件下都進(jìn)行過實(shí)驗(yàn)，但是在目前的調(diào)查中
還沒有發(fā)現(xiàn)過dV/dt 破壞、dI/dt 破壞的破壞模式。 4.3.3 門極偏壓依賴性
SiC MOSFET 的Vgs 額定范圍為‐6～+22V。推薦的驅(qū)動(dòng)條件是Vgs(on)=18V、Vgs(off)=0V 或者負(fù)偏壓使用情況下的‐3V～‐5V。Vgs(on)、Vgs(off)越大，門極的充放電越快，Eon、Eoff 越小。但是請(qǐng)?jiān)陬~定范圍內(nèi)使用。