IGBT元件的短路和過(guò)電壓保護(hù)

原因                                                                       電流傳感器

相間（負(fù)載）短路時(shí)，會(huì)流動(dòng)非常大的電流，其電流值由電源電容器的ESR和IGBT的增益而決定。發(fā)生功率大幅度劇增，如果不在10μs以內(nèi)關(guān)斷，就會(huì)損壞IGBT。此時(shí)還會(huì)發(fā)生浪涌電壓，其電壓值為集電極及發(fā)射極分布電感Ls與-di/dt之積。即使Ls為0.1μH，如果-di/dt為2,000A/μs，此電壓為200V。為了降低-di/dt，需要緩慢地關(guān)斷IGBT（軟關(guān)斷）。當(dāng)然，配線時(shí)應(yīng)注意盡可能讓殘留電感最小。

另外，IGBT從飽和狀態(tài)向不飽和狀態(tài)移動(dòng)時(shí)，集電極的電位上升。因此，門(mén)極也由于反向傳輸電容而導(dǎo)致門(mén)極電位上升。這有進(jìn)一步增強(qiáng)集電極電流的作用，還有導(dǎo)致門(mén)極破壞的危險(xiǎn)，因此建議在門(mén)極-發(fā)射極之間加入穩(wěn)壓二極管和電阻。